时间：2025/5/26 21:19:06
阅读：8
BUK7M12-60E 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（Power MOSFET），由安森美（ON Semiconductor）公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其封装形式为 TO-263（DPAK），具有良好的散热性能。
BUK7M12-60E 的最大漏源电压为 60V，能够承受较高的瞬态电压，同时具备出色的电流处理能力，确保在高功率应用场景中的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：49A
导通电阻：5.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC（典型值）
总电容：1250pF（典型值）
功耗：205W（在 θJA=40°C/W 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-263（DPAK）
1. 低导通电阻（Rds(on)）：有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力：最大支持 49A 的连续漏极电流，满足高功率需求。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷（Qg）使得该器件能够在高频条件下高效运行。
4. 稳定的工作温度范围：能够在极端温度环境下可靠工作，适应工业及汽车级应用。
5. 符合 RoHS 标准：环保设计，满足国际法规要求。
6. 先进的热性能：采用 TO-263 封装，有效提升散热效果。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. LED 驱动电路
BUK7M06-60E, BUK7M10-60E, IRFZ44N
