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BUK7L11-34ARC 发布时间 时间:2025/12/24 14:54:09 查看 阅读:15

BUK7L11-34ARC 是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道逻辑电平MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
  该器件的封装形式为DPAK(TO-252),具有较高的电流承载能力和散热性能,适合需要高效率和低功耗的应用场合。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):34A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):115W
  工作结温范围(Tj):-55°C至+175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 采用无铅封装,符合RoHS标准。
  5. 较宽的工作温度范围,适用于各种恶劣环境下的应用。
  6. 逻辑电平栅极驱动,便于与低电压控制器配合使用。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 负载开关,用于保护电路免受过流或短路影响。
  4. 电机驱动中的功率级控制。
  5. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
  6. 照明应用中的LED驱动电路。

替代型号

1. BUK7L10-34ARC(类似的导通电阻和电气特性)。
  2. IRF3205(接近的电气参数,但来自不同制造商)。
  3. AO3400A(更低的导通电阻,适合更高效能需求的应用)。
  4. FDP5580(相近的电压和电流等级,来自Fairchild Semiconductor)。
  5. STP36NF06L(类似规格的N沟道MOSFET,来自STMicroelectronics)。

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BUK7L11-34ARC参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压34 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流89 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0097 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间118 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散172 W
  • 上升时间92 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间127 ns
  • 零件号别名BUK7L11-34ARC,127