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BUK7K89-100EX 发布时间 时间:2025/9/14 18:06:43 查看 阅读:10

BUK7K89-100EX 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高效率和高功率应用。这款MOSFET采用了先进的技术,以提供卓越的导通和开关性能。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力以及出色的热性能,使其非常适合用于如电源管理、电机控制、工业自动化和汽车电子等应用领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):100V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):160A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ(最大值)
  封装:TO-220
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

BUK7K89-100EX 具有多个显著的性能特点,首先其导通电阻极低,最高为5.3mΩ,这意味着在高电流条件下,其导通损耗非常小,从而提高了整体效率并减少了散热需求。此外,这款MOSFET的额定漏极-源极电压为100V,栅极-源极电压为±20V,能够适应较宽的电压范围,同时确保了器件的稳定性和可靠性。
  在封装方面,BUK7K89-100EX 采用TO-220封装形式,这种封装提供了良好的散热性能,并且便于安装和集成到各种电路设计中。器件的工作温度范围为-55°C 至 +175°C,表明其在极端温度环境下也能保持稳定工作。
  此外,BUK7K89-100EX 还具有出色的热管理和抗过载能力,能够有效应对瞬时过载情况,从而延长器件的使用寿命。其高栅极电荷(Qg)优化了开关性能,使得在高频应用中能够保持较低的开关损耗。由于采用了先进的硅技术,该器件在高温环境下仍能维持较低的导通电阻,提高了整体系统的可靠性和能效。

应用

BUK7K89-100EX 由于其高性能特性,广泛应用于多个领域。在电源管理系统中,它被用于DC-DC转换器、同步整流器以及电池管理系统,以提高能源转换效率。在工业自动化和电机控制领域,该器件用于驱动大功率电机和执行器,其高电流能力和低导通电阻有助于提升控制精度和系统响应速度。
  在汽车电子方面,BUK7K89-100EX 可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及车载逆变器等应用。其高可靠性和耐久性使其成为汽车环境下理想的选择。此外,该器件还可用于工业逆变器、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等高功率应用中,为系统提供高效、稳定的功率控制。
  由于其优异的导热性能和宽工作温度范围,BUK7K89-100EX 也适用于需要在恶劣环境中工作的设备,例如工业控制柜、自动化测试设备(ATE)以及电力监控系统等。

替代型号

IRF1405, BSC090N10LS5, BUK7K150-100E

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BUK7K89-100EX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥9.06000剪切带(CT)1,500 : ¥4.10692卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)82.5mOhm @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)811pF @ 25V
  • 功率 - 最大值38W
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-1205,8-LFPAK56
  • 供应商器件封装LFPAK56D