时间：2025/9/14 18:24:45
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BUK7K6R8-40E,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度的开关应用而设计，广泛用于汽车电子、工业控制、电源管理和 DC-DC 转换器等领域。该 MOSFET 采用先进的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N 沟道
最大漏极电流（Id）：140 A
最大漏源电压（Vds）：40 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：6.8 mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：200 W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7K6R8-40E,115 具有多个显著的电气和热性能优势。其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了先进的 TrenchMOS 技术，使得其在高压和大电流条件下仍能保持良好的性能。其高电流处理能力（最大漏极电流为 140A）使其适用于高功率应用，如电机驱动和 DC-DC 转换器。
另一个关键特性是其良好的热稳定性。该器件采用 TO-220 封装，具有优异的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。此外，该器件的最大工作温度可达 +175°C，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），提高了其在不同电路设计中的适用性。
在可靠性方面，BUK7K6R8-40E,115 具有良好的抗雪崩击穿能力和过载保护性能，能够在瞬态过电压和过电流条件下保持稳定。此外，该器件的短路耐受能力较强，适用于需要高可靠性的应用场合。这些特性使其成为汽车电子系统（如车载电源、电机控制模块）和工业自动化设备中的理想选择。
BUK7K6R8-40E,115 主要应用于需要高效率、高功率密度的电子系统中。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关等电路中。在汽车电子领域，该器件广泛应用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等模块。
在工业自动化和电源管理系统中，BUK7K6R8-40E,115 也常用于工业电机控制、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统等设备中。其优异的热稳定性和高可靠性使其在高温和高负载环境中仍能保持稳定的性能。此外，该器件也可用于高功率 LED 照明系统的电源管理模块中，提供高效的电流控制和稳定的输出。
在消费类电子产品中，该器件可用于高性能电源适配器、笔记本电脑电源管理系统以及智能家电的电机控制模块。其广泛的应用范围和优异的性能表现使其成为许多高功率电子设备中的关键组件。
STL140N4F7, INF140N04S15A, SiSS140DN
