时间：2025/9/14 8:33:20
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BUK7K5R6-30E,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（@Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：5.6mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220AB
引脚数：3
BUK7K5R6-30E,115 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，这使其在大功率应用中表现出色，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。
该器件采用先进的 Trench MOS 技术，优化了晶圆结构，从而在高电流下仍能保持较低的热阻和良好的热稳定性。
其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V或10V），适用于多种控制电路。
此外，该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了在开关过程中对过压和过流的抵抗性，提高了系统的可靠性和安全性。
封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，适合焊接在PCB上用于电源模块、DC-DC转换器、电机驱动器等应用中。
器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用。
BUK7K5R6-30E,115 主要用于需要高效功率控制的场合，例如：
直流电源转换器（如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑结构）
电动车辆和混合动力汽车中的功率系统
工业自动化设备中的电机驱动电路
不间断电源（UPS）
电池管理系统（BMS）
光伏逆变器
高功率LED照明驱动电路
电子负载开关
由于其高效率和低导通损耗的特点，该MOSFET也广泛用于高功率密度设计中，如服务器电源、电信电源设备等。
IRF1405, SiR142DP, BSC050N03LS G, IPB013N04N3 G
