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BUK7K45-100EX 发布时间 时间:2025/12/28 14:26:11 查看 阅读:7

BUK7K45-100EX 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关应用。该器件采用了先进的 TrenchMOS 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于工业电源、电机控制、照明系统以及汽车电子等多个领域。该 MOSFET 封装为 TO-220,便于散热并适合在高电流环境下运行。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏极电流(Id):45A
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):12.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):110nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

BUK7K45-100EX 具有多个高性能特性。其采用先进的 TrenchMOS 技术,使得导通电阻(Rds(on))非常低,从而显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流处理能力,在 45A 的最大漏极电流下仍能保持良好的稳定性,适用于高功率应用。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下可靠运行,延长系统寿命。
  该器件的栅极电荷(Qg)相对较低,有助于提高开关速度,减少开关损耗,使其适用于高频开关应用。此外,其 ±20V 的最大栅源电压允许使用较宽范围的栅极驱动电压,提高设计的灵活性。BUK7K45-100EX 的封装为 TO-220,具有良好的散热性能,确保在高负载下也能保持较低的结温,提高整体系统的稳定性与可靠性。
  该 MOSFET 在制造过程中采用了严格的品质控制标准,确保其在各种工作条件下都能提供稳定的性能。其内部结构优化设计,减少了寄生电容和电感,从而进一步提升高频响应和抗干扰能力。此外,该器件具备良好的抗静电(ESD)能力,能够在一定程度上抵御静电放电造成的损坏,增强系统的耐用性。

应用

BUK7K45-100EX 广泛应用于多个高性能功率电子系统中。其主要用途包括但不限于:工业自动化设备中的电机驱动器、电源管理系统、直流-直流(DC-DC)转换器、不间断电源(UPS)、逆变器、照明控制系统(如 LED 驱动器)等。由于其具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗,特别适用于高效率、高功率密度的电源设计。
  在汽车电子领域,该 MOSFET 可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)以及各类车载电源转换器。此外,由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力,也可用于高温环境下的工业控制设备和电源模块。
  在工业自动化和控制系统中,BUK7K45-100EX 可作为高功率开关元件,用于控制电机、电磁阀、继电器等执行机构。其快速开关特性也使其适用于 PWM(脉宽调制)控制,以实现精确的速度或功率调节。

替代型号

IRF1405, STP45NF10, FDP450HVN, BUK7K50-100E

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BUK7K45-100EX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥11.77000剪切带(CT)1,500 : ¥5.33523卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21.4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)37.6mOhm @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1533pF @ 25V
  • 功率 - 最大值53W
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-1205,8-LFPAK56
  • 供应商器件封装LFPAK56D