时间：2025/9/14 22:20:44
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BUK7K35-60EX是一款由NXP（恩智浦）半导体公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。BUK7K35-60EX采用先进的TrenchMOS技术，提供优异的导通性能和热稳定性。其封装形式为D2PAK（TO-263），适合表面贴装，具备良好的散热能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：约8.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：50nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
BUK7K35-60EX具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的导通电阻通常在8.5mΩ左右，确保在高电流下仍能保持较低的温升。
其次，该MOSFET具备高耐压能力，最大漏源电压可达60V，适用于中高压电源系统。其结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩耐量，从而增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
此外，BUK7K35-60EX采用了TrenchMOS技术，这种先进的制造工艺不仅提升了导通性能，还改善了栅极电荷特性，使开关损耗降低，从而适用于高频开关应用。
该器件的封装形式为D2PAK（TO-263），具有良好的热管理能力，适用于高功率密度设计。封装内部集成有热保护结构，有助于在高温条件下维持稳定运行。
最后，BUK7K35-60EX的工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的工业环境，适用于汽车电子、工业自动化、消费类电源设备等多种应用场景。
BUK7K35-60EX广泛应用于各类电力电子系统中。首先，它常用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）变换器，用于提高电源转换效率并减小系统体积。其次，在电机控制电路中，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机，实现高效的功率控制。
此外，该器件适用于电源管理模块，如电池管理系统（BMS）和负载开关控制，用于实现高效率的电能分配和管理。在汽车电子领域，BUK7K35-60EX可用于车载充电器、LED照明驱动和电机控制模块。
由于其高可靠性和良好的热稳定性，BUK7K35-60EX也广泛应用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及智能电表等高性能电源系统。
IPB035N06N3 G | FDD3535N60FS | STP35NF06L
