时间：2025/9/14 20:16:19
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BUK7K32-100EX 是由 NXP（恩智浦）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电流开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于各种电源管理、电机控制、负载开关和 DC-DC 转换器等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：32A
导通电阻 RDS(on)：最大 10.5mΩ（在 VGS = 10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
BUK7K32-100EX 具备出色的导通性能和低开关损耗，是功率转换应用的理想选择。其最大导通电阻仅为 10.5mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率。该器件支持高达 32A 的连续漏极电流，适用于需要高电流能力的设计。此外，其栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，使其兼容多种驱动电路，包括低压微控制器输出。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和高耐用性，能够在高温环境下稳定运行。TO-220AB 封装提供了良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和散热管理。BUK7K32-100EX 适用于多种工业和汽车应用，如电池管理系统、DC-DC 转换器、电机驱动和高侧开关等。
BUK7K32-100EX 主要用于需要高电流和高效率的功率控制应用，包括工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关以及汽车电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高功率密度设计，如服务器电源、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动工具控制电路。
SiR178DP-T1-GE、IRFZ44N、BUK7K52-100E、IPB075N10N3
