时间：2025/9/14 18:49:55
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BUK7K25-40E,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能、低损耗的电源管理系统中。该器件采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于汽车电子、工业控制、电源转换和负载管理等高可靠性要求的领域。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热并适合表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：25 A
导通电阻（Rds(on)）：最大值25 mΩ（在Vgs=10 V时）
功率耗散（Ptot）：80 W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：TO-252 (DPAK)
栅极电荷（Qg）：40 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1200 pF（典型值）
BUK7K25-40E,115具备多项优异特性，适用于高要求的功率管理应用。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这在高电流应用场景中尤为重要。该器件的25 mΩ最大Rds(on)值在Vgs=10V条件下表现优异，有助于减少热量生成，提高系统的热稳定性。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力，其连续漏极电流额定值为25A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于电机驱动、DC-DC转换器和电源管理系统等高功耗应用。
此外，BUK7K25-40E,115采用了耐用的Trench技术，增强了器件的可靠性和抗过载能力。其高栅极电荷容限和良好的热阻特性使其在高频率开关应用中表现出色，适合用于同步整流器、负载开关和功率放大器等场景。
该器件的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，支持表面贴装工艺，提高了PCB设计的灵活性和生产效率。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其在极端环境条件下依然能够稳定运行，适用于汽车电子等对可靠性要求极高的领域。
BUK7K25-40E,115广泛应用于多个高功率与高可靠性要求的领域。
在汽车电子领域，该器件常用于车载电源管理系统、电动助力转向系统（EPS）、LED照明驱动和电池管理系统（BMS）。由于其具备优异的热性能和高可靠性，非常适合作为车载DC-DC转换器和电机控制器中的主开关器件。
在工业控制方面，BUK7K25-40E,115可用于伺服电机驱动器、工业电源模块、PLC（可编程逻辑控制器）的输出级和自动负载切换系统。其低导通电阻和高电流能力使其在这些应用中表现出色，能够有效降低系统功耗并提升效率。
此外，该MOSFET也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑、UPS（不间断电源）和智能家电的功率调节单元。其表面贴装封装形式简化了生产流程，提高了产品的一致性和稳定性。
在新能源领域，BUK7K25-40E,115也可用于太阳能逆变器、储能系统和电动工具的功率开关控制。其良好的开关特性和抗过载能力使其在这些高要求的应用中具有显著优势。
IPD90P03P4-03, STB10NK50Z, FDPF4N60FS, FDSMA86250
