BUK7K17-80E 是一款由安森美(onsemi)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3L封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率控制的场景中。得益于其低导通电阻和快速开关特性,BUK7K17-80E在高效率和高频应用场合表现优异。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:29A
导通电阻:5.5mΩ
栅极电荷:42nC
输入电容:2080pF
开关速度:快速
封装形式:TO-263-3L
BUK7K17-80E具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在典型值为5.5mΩ的情况下,能够显著降低导通损耗,提升整体系统效率。
同时,这款MOSFET拥有较低的栅极电荷和输出电荷,从而支持更高的开关频率,减少系统的磁性元件尺寸并降低成本。
此外,其具备良好的热性能,能够在较高的结温范围内稳定工作,适应严苛的工作环境。
由于采用了TO-263-3L封装,BUK7K17-80E易于安装和散热设计,非常适合功率密度要求高的应用。
BUK7K17-80E适用于多种功率电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流开关;
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关;
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路;
4. 汽车电子中的负载切换和逆变器模块;
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
BUK7Y17-80E, IRF840, STP70NF06