BUK7K17-60E是由安森美(onsemi)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。其设计优化了导通电阻和栅极电荷特性,从而提高了效率并降低了功耗。
BUK7K17-60E具有低导通电阻和快速开关性能,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
最大漏源电压:60V
持续漏电流:29A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:19nC
工作结温范围:-55℃ to +150℃
封装形式:TO-263
BUK7K17-60E是一款高性能的功率MOSFET,具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,能够显著降低传导损耗。
2. 优化的栅极电荷(Qg)设计,使开关损耗降到最低。
3. 高电流处理能力,支持高达29A的持续漏电流。
4. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行,工作结温范围为-55℃至+150℃。
5. 快速开关速度,适合高频应用。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使得BUK7K17-60E非常适合于高效率、高功率密度的设计要求。
BUK7K17-60E被广泛应用于各种电力电子领域,具体包括:
1. 开关模式电源(SMPS),用于提高电源转换效率。
2. DC-DC转换器,作为主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路,控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
4. 电池管理系统(BMS),用作充放电保护开关。
5. 照明系统中的LED驱动器,提供精确的电流控制。
由于其出色的性能,BUK7K17-60E成为许多高效率、紧凑型设计方案的理想选择。
BUK7Y07-60E, BUK7Y17-60E, IRFZ44N