时间：2025/6/19 14:56:22
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BUK7K15-80E 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能和高性能的电源管理应用。BUK7K15-80E 的额定电压为 80V，适用于多种工业、汽车及消费类电子领域。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：34A
导通电阻：4.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：16nC（典型值）
输入电容：1980pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
BUK7K15-80E 是一种高效的功率 MOSFET，其主要特性包括：
1. 额定漏源电压高达 80V，适合高压应用环境。
2. 具有超低的导通电阻（Rds(on)），仅为 4.2mΩ（典型值），能够显著降低传导损耗。
3. 栅极驱动要求较低，易于与逻辑电路配合使用。
4. 快速开关能力，有助于提高系统效率并减少电磁干扰 (EMI)。
5. 工作温度范围广，从 -55℃ 到 +175℃，适用于极端温度条件下的应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
BUK7K15-80E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）和升降压转换器。
3. 电动工具、电机驱动及其他便携式设备中的功率级控制。
4. 汽车电子中的负载开关和电池保护。
5. LED 照明驱动电路中的开关元件。
6. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5500
IXFH40N06T2
