时间：2025/9/14 17:28:53
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BUK7K134-100EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchMOS 技术制造。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高功率密度和低功耗的系统。BUK7K134-100EX 采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力，适用于各种工业和汽车电子应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：130A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：300W
BUK7K134-100EX MOSFET 具备多项优异的电气和热性能。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于高电流应用，如 DC-DC 转换器和电机驱动器。其次，该器件采用了先进的 TrenchMOS 技术，使得在保持高性能的同时，具备更小的芯片尺寸和更高的集成度。
此外，BUK7K134-100EX 的最大漏极电流可达 130A，在高负载条件下仍能稳定工作，适用于需要高电流能力的功率系统。其最大漏源电压为 100V，能够满足中高压电源转换的需求。栅源电压范围为 ±20V，确保在不同的驱动条件下仍能保持稳定的性能。
BUK7K134-100EX MOSFET 主要应用于各类高功率电源系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源适配器以及汽车电子系统。在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和高效能特性能够显著提高转换效率，减少热量产生，延长系统寿命。在电机驱动器中，其高电流承载能力和快速开关特性使其成为理想的选择。
IPW90R150PFIKMA1, STP120N10F7AG, FDP120N10
