时间：2025/9/13 22:13:47
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BUK7K12-60E是一款由Nexperia（原飞利浦半导体业务分拆后的安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用TSON10封装，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：最大8.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TSON10
功率耗散(Pd)：40W
阈值电压(Vgs(th))：典型值2.5V（范围1.8V至3.0V）
BUK7K12-60E MOSFET具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻Rds(on)最大为8.5mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件非常适合用于高频开关应用，如同步整流和DC-DC降压转换器。
该MOSFET采用TSON10封装，具有良好的散热性能，可在高功率密度设计中提供优异的热管理。其额定漏源电压为60V，适用于多种中压功率转换场景。栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的抗过压能力，并能在10V标准驱动电压下实现良好的导通性能。
此外，BUK7K12-60E具有低输入电容和快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。该器件内置体二极管，具备良好的反向恢复特性，适用于需要快速恢复的整流应用。
器件的阈值电压Vgs(th)典型值为2.5V，范围在1.8V至3.0V之间，确保了稳定的导通控制，并兼容常见的逻辑电平驱动电路。其连续漏极电流能力为12A，适用于中高功率负载应用。
综上所述，BUK7K12-60E是一款性能优异、封装紧凑、适用于多种功率转换和负载控制应用的高性能MOSFET。
BUK7K12-60E MOSFET广泛应用于多个领域，包括开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动和负载开关控制。其低导通电阻和高效率特性使其成为高效能电源转换设备的理想选择，例如在汽车电子系统、工业自动化、便携式设备电源管理和电信基础设施中均有广泛应用。
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