时间：2025/9/15 2:05:26
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BUK7J1R4-40HX是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8封装），便于表面贴装，适用于自动化生产流程。BUK7J1R4-40HX的额定电压为40V，最大连续漏极电流可达150A，使其适用于需要高效功率控制的工业和汽车电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：140W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
BUK7J1R4-40HX具有多项优异的电气和热性能，使其在高频开关电源和电机控制应用中表现出色。首先，该器件的导通电阻Rds(on)仅为1.4mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，其150A的最大漏极电流能力，使其适用于大功率负载切换，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
该MOSFET采用LFPAK56封装，具有优异的热管理性能，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。LFPAK封装还具有较低的引线电感，有助于减少高频开关过程中的电压振铃和电磁干扰（EMI）。
在驱动特性方面，BUK7J1R4-40HX的栅极电荷Qg较低，使得栅极驱动器的负担减轻，提高了开关速度，从而降低了开关损耗。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在突发负载或短路情况下的稳定性。
由于其高可靠性和高性能，BUK7J1R4-40HX适用于严苛的工作环境，包括汽车电子系统、工业自动化和高功率密度电源系统。
BUK7J1R4-40HX广泛应用于需要高效功率控制的多种电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及高功率密度电源模块。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）等，能够在高温和高振动环境下稳定运行。
IPD150N04LG G Infineon
PSMN1R4-40YLC1.1K NXP
SQJQ144EP-T1_GE3 Vishay
