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BUK7J1R4-40HX 发布时间 时间:2025/9/15 2:05:26 查看 阅读:12

BUK7J1R4-40HX是一款由Nexperia(原Philips Semiconductors)生产的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率、高功率密度的电源管理系统。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为LFPAK56(也称为Power-SO8封装),便于表面贴装,适用于自动化生产流程。BUK7J1R4-40HX的额定电压为40V,最大连续漏极电流可达150A,使其适用于需要高效功率控制的工业和汽车电子应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):150A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):140W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:LFPAK56(Power-SO8)

特性

BUK7J1R4-40HX具有多项优异的电气和热性能,使其在高频开关电源和电机控制应用中表现出色。首先,该器件的导通电阻Rds(on)仅为1.4mΩ,显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,其150A的最大漏极电流能力,使其适用于大功率负载切换,如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。
  该MOSFET采用LFPAK56封装,具有优异的热管理性能,能够有效散热,从而提高器件的可靠性和寿命。LFPAK封装还具有较低的引线电感,有助于减少高频开关过程中的电压振铃和电磁干扰(EMI)。
  在驱动特性方面,BUK7J1R4-40HX的栅极电荷Qg较低,使得栅极驱动器的负担减轻,提高了开关速度,从而降低了开关损耗。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力,增强了在突发负载或短路情况下的稳定性。
  由于其高可靠性和高性能,BUK7J1R4-40HX适用于严苛的工作环境,包括汽车电子系统、工业自动化和高功率密度电源系统。

应用

BUK7J1R4-40HX广泛应用于需要高效功率控制的多种电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及高功率密度电源模块。此外,该MOSFET也适用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统(EPS)等,能够在高温和高振动环境下稳定运行。

替代型号

IPD150N04LG G Infineon
  PSMN1R4-40YLC1.1K NXP
  SQJQ144EP-T1_GE3 Vishay

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BUK7J1R4-40HX参数

  • 现有数量1,480现货
  • 价格1 : ¥25.52000剪切带(CT)1,500 : ¥13.36336卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.4 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)126 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8155 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)395W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56; Power-SO8
  • 封装/外壳SOT-1023,4-LFPAK