时间：2025/9/14 11:19:46
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BUK7E8R3-40E,127是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，例如DC-DC转换器、电机控制、电源管理等。该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其在高电流负载下依然保持稳定和可靠的工作状态。BUK7E8R3-40E,127采用小型化的封装形式，适合需要高功率密度的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：160A
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：8.3mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
功率耗散（Ptot）：300W
BUK7E8R3-40E,127的主要特性之一是其非常低的导通电阻，仅为8.3mΩ，这显著降低了导通损耗并提高了能效。这种特性使其非常适合用于高电流应用，如电源转换器和电动车辆的控制系统。此外，该器件的最大漏极电流可达160A，能够在高负载条件下提供稳定性能。其最大漏源电压为40V，适用于中等电压范围的功率应用。
该MOSFET支持±20V的栅源电压，这意味着它可以与多种栅极驱动器兼容，包括高边驱动器和低边驱动器。这增加了其在不同电路设计中的适用性。此外，该器件具有优异的热管理能力，能够在高达175°C的结温下运行，确保在高功率密度环境中的稳定性。
TO-220AB的封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适用于需要紧凑设计和高效散热的应用场景。该封装形式还具有良好的机械稳定性和易于安装的特点。BUK7E8R3-40E,127的整体设计使其成为高效能、高可靠性功率电子系统中的理想选择。
BUK7E8R3-40E,127广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在电动汽车和混合动力汽车中，该MOSFET可用于车载充电器、逆变器和电动机控制模块，以实现高效的能量转换和管理。
此外，该器件也适用于工业自动化设备、服务器电源系统、太阳能逆变器和储能系统等应用领域。由于其高电流处理能力和低导通损耗，BUK7E8R3-40E,127特别适合用于需要高效率和高功率密度的系统设计。无论是在消费类电子产品还是在工业级设备中，该MOSFET都能提供出色的性能表现。
IPB041N04NG
FDD160N40F
SiS160N04NG
