时间：2025/9/14 17:49:17
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BUK7E4R6-60E,127 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高功率密度和优异的热性能。该MOSFET采用TISON（增强型小型无引脚封装）技术，适用于需要紧凑布局和高效能的电源管理系统。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：160A
导通电阻(RDS(on))：4.6mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TISON
安装类型：表面贴装
BUK7E4R6-60E,127 的核心优势在于其超低导通电阻（RDS(on)）和优异的热管理能力。该器件的RDS(on)仅为4.6毫欧姆，在VGS=10V时能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用先进的沟槽式技术，具有出色的雪崩能量耐受能力和高耐用性。
其TISON封装设计不仅节省空间，还支持更高的功率密度，适用于高密度PCB布局。由于其低热阻特性，该器件能够在高温环境下稳定运行，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源转换效率。其栅极驱动电压范围较宽，支持10V至15V的驱动电压，适用于多种电源管理拓扑结构。
BUK7E4R6-60E,127 主要用于高性能电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制器以及汽车电子系统。在汽车应用中，它广泛用于车载充电器（OBC）、48V轻混系统、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器。
在工业领域，该MOSFET适用于服务器电源、电信整流器、工业自动化设备和高功率LED照明系统。由于其优异的热稳定性和高电流能力，它也适用于高可靠性应用场景，如不间断电源（UPS）和储能系统。
IPB015N06N3 G, INFET; SQJQ160E, INFET; BUK7E5R8-60E,127
