时间：2025/9/14 17:15:13
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BUK7E3R5-60E,127 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统。该器件设计用于工作在高电压和高电流环境下，具有低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于减少导通损耗并提高整体效率。该型号的封装形式为D2PAK，便于在高功率应用中进行散热处理。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：D2PAK
BUK7E3R5-60E,127 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)）值，仅为3.5毫欧姆。这种低导通电阻特性使得MOSFET在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了电源转换效率，并减少了对散热器的需求。此外，该器件采用了先进的Trench技术，使得其在保持高耐压能力的同时，仍能实现较小的导通电阻。这种结构设计也有助于改善器件的开关性能，使其适用于高频开关应用。
另一个重要特性是其高电流承载能力。该MOSFET可以承受高达100A的连续漏极电流，非常适合用于高功率密度的电源系统。例如，在DC-DC转换器、电机控制、电源管理、电池充电系统和负载开关等应用中，BUK7E3R5-60E,127 都能提供稳定可靠的性能。此外，其±20V的栅源电压耐受能力，使其在面对栅极驱动电路的电压波动时具有更高的可靠性。
该器件的D2PAK封装形式具有良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到外部散热系统，从而确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。此外，这种封装形式也便于在PCB（印刷电路板）上安装和焊接，适用于自动化生产和高可靠性应用场景。
BUK7E3R5-60E,127 适用于多种功率电子系统，尤其适合需要高效率、高电流能力和高频操作的应用。常见应用包括同步整流器、DC-DC降压或升压转换器、电池管理系统、电动车辆（EV）充电设备、电机驱动器、工业自动化设备以及高功率负载开关。由于其高可靠性和优良的导热性能，它也广泛应用于汽车电子和工业电源系统中。
IRF1405, SiR1000DG, FDP100N60, IPW90R035C3
