时间：2025/9/14 7:20:14
阅读：8
BUK7E3R1-40E 是一款由 NXP（恩智浦）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种高功率开关应用。该器件采用先进的 Trench MOS 技术，具有极低的导通电阻和高效率，适合在高电流和高温环境下运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：180 A
最大漏-源电压（VDS）：40 V
导通电阻（RDS(on)）：3.1 mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：100 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK7E3R1-40E MOSFET 的核心特性在于其卓越的导通性能和开关效率。该器件采用了先进的 Trench MOS 工艺，使得其导通电阻（RDS(on)）非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流处理能力，在高功率应用中表现出色。其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗。在热性能方面，BUK7E3R1-40E 的 TO-263（D2PAK）封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低器件在高负载条件下的温升，确保长期稳定运行。
此外，该器件的极限工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使其在极端环境条件下也能保持稳定性能。这种宽温度范围特性使其适用于汽车电子、工业控制等对环境适应性要求较高的应用。同时，BUK7E3R1-40E 还具备较高的抗雪崩能力，增强了其在瞬态负载和异常工况下的可靠性。
BUK7E3R1-40E 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率系统，例如直流-直流转换器、电机控制、电源管理系统、负载开关和电池供电设备。在汽车电子领域，该器件广泛用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）系统以及车载充电器等应用。在工业自动化和电源管理领域，BUK7E3R1-40E 也常用于工业电源、UPS（不间断电源）、服务器电源和储能系统等高功率开关电路中。此外，由于其优异的热性能和抗干扰能力，它还适用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品，如高端电源适配器和智能家电控制系统。
SiR142DP, IRF1405, IPD90N03S4-07
