BUK7D36-60EX 时间：2025/9/14 12:32:17 阅读：18

BUK7D36-60EX是一款由NXP Semiconductors生产的增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于电源管理、直流-直流转换器、电机控制以及负载开关等场景。BUK7D36-60EX采用DFN2020-8封装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于紧凑型电子设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100 A
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.6 mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.8 mΩ @ Vgs=4.5V
　　功耗（Ptot）：100 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DFN2020-8

特性

BUK7D36-60EX具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为3.6mΩ，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件在Vgs=4.5V时的Rds(on)为4.8mΩ，使其适用于多种驱动电压条件，增强了设计的灵活性。
　　该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，提供了更高的电流密度和更低的开关损耗，同时具备良好的热稳定性。其DFN2020-8封装形式不仅减小了PCB占用面积，还通过底部的散热焊盘提升了散热性能，确保在高负载下仍能保持稳定运行。
　　BUK7D36-60EX的栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力，可适配多种栅极驱动器。此外，其最大漏极电流可达100A，支持在高功率密度应用中提供稳定的电流传输能力。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C至+175°C，适应工业级和汽车级应用的需求。

应用

BUK7D36-60EX广泛应用于需要高效能功率开关的场景，如同步整流器、直流-直流转换器（DC-DC Converters）、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统以及负载开关控制。由于其优异的导通性能和紧凑的封装形式，该器件也常用于高密度电源模块和车载电子系统中。
　　在汽车电子领域，BUK7D36-60EX适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电动压缩机以及48V轻混系统中的功率转换模块。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业自动化设备、服务器电源、通信基础设施以及智能电表等应用场景。