时间：2025/9/13 22:53:36
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BUK7907-55AIE,127 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度和高可靠性的应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及汽车电子系统中。该MOSFET采用先进的Trench技术，具有极低的导通电阻(RDS(on))，确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大漏极电流(Id)：7.5A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：典型值为5.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：22nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB，符合RoHS标准
BUK7907-55AIE,127 采用先进的Trench技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并且具备良好的抗雪崩击穿能力，增强了系统的可靠性。此外，该MOSFET具有快速的开关速度，有助于减小开关损耗，提高整体系统的响应速度。其低栅极电荷（Qg）使得驱动电路更为简单，适用于高频开关应用。封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
BUK7907-55AIE,127 主要应用于高效能电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。由于其优异的电气特性和可靠性，该器件也非常适合用于汽车电子系统中的功率控制模块、车载充电器、LED照明驱动器以及工业自动化设备中的高频率开关电源。此外，在需要高稳定性和高效率的可再生能源系统（如太阳能逆变器）中也有广泛的应用前景。
IPD90N03S4-03, FDS4410, Si4410DY
