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BUK7880-55A 发布时间 时间:2025/6/23 22:18:03 查看 阅读:18

BUK7880-55A是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET。这款器件采用DPAK(TO-252)封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种功率转换应用。该芯片通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其优异的电气性能和热特性使其成为高效能功率管理的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:67nC
  总功耗:29W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

BUK7880-55A是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持较低的传导损耗。
  2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
  3. 良好的热稳定性,在极端环境温度下仍能保持稳定的工作性能。
  4. 较高的雪崩击穿能量,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  5. 封装形式为DPAK,易于安装且具备良好的散热性能。
  这些特性使得BUK7880-55A在各种工业和消费类电子应用中表现出色。

应用

BUK7880-55A广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,特别是在降压拓扑中的主开关。
  3. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机或步进电机。
  4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  其高电流承载能力和快速开关特性使它非常适合于要求高效率和可靠性的应用。

替代型号

BUK7Y3R8-55A
  IRF540N
  FDP5580
  STP55NF06L

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