时间：2025/9/14 22:57:35
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BUK7830-30是一种高性能功率MOSFET，由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造。这款MOSFET专为高电流、高效率应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及汽车电子系统等领域。BUK7830-30采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其能够在高负载条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A（在25°C）
功耗（Ptot）：250W
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ（在10V Vgs下）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK7830-30具有多个关键特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的高电流容量和优异的热管理能力使其能够承受较高的负载而不发生热失效。器件采用了先进的沟槽式技术，优化了电场分布，从而提高了击穿电压的稳定性。同时，其封装形式（TO-263）提供了良好的散热性能，并且适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。BUK7830-30还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围宽广，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。BUK7830-30还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
BUK7830-30广泛应用于多个高功率和高效率领域。例如，在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统和DC-AC逆变器等应用。此外，BUK7830-30也适用于工业自动化设备、服务器电源、电信基础设施以及太阳能逆变器等高功率设备。由于其卓越的导热性能和高频响应能力，该器件也适合用于高频开关电源和同步整流电路。
IPB013N04LC, FDP140N30, IRLB8726PbF
