时间：2025/9/15 0:59:15
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BUK78150-55A/CUX 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：150A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：5.5mΩ（最大）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK78150-55A/CUX 具备多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为5.5mΩ，能够在高电流工作条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET支持高达150A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，该器件采用先进的TrenchMOS技术，提升了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其TO-263（D2PAK）封装形式具备良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装工艺，便于在紧凑的PCB布局中使用。
该器件还具备出色的耐用性和可靠性，在高温环境下仍能稳定工作，工作温度范围可达-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车电子应用。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的栅极驱动灵活性，兼容多种控制电路设计。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，提升了在瞬态负载或短路情况下的稳定性。
BUK78150-55A/CUX 主要应用于需要高效能功率开关的场合，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统、服务器电源和工业电源等。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电动汽车（EV）充电系统、车载DC-DC转换器和储能系统中的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载逆变器、起动机控制模块和电动助力转向系统等应用。
SiR178DP-T1-GE3, IPW60R070C7, FDP150N55F
