时间：2025/9/14 18:59:49
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BUK768R3-60E,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率MOSFET器件，属于TrenchMOS技术家族。该器件采用增强型N沟道结构，适用于高效率、高功率密度的开关应用。其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适合工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：3.0mΩ（最大）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：300W
BUK768R3-60E,118采用了先进的TrenchMOS技术，使其在低导通电阻和高开关性能之间取得良好平衡。其最大漏源电压为60V，适用于中等电压应用，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。该器件的导通电阻仅为3.0mΩ，可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，其高达110A的连续漏极电流能力使其适用于高功率负载。该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。
该器件的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，同时支持快速开关操作，降低开关损耗。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。此外，该器件符合RoHS标准，符合环保要求。
BUK768R3-60E,118广泛应用于多个领域，包括工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、汽车电子系统和功率因数校正电路。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换和功率控制场合。
STP110N6F6, IRF1405, SiR178DP, FDP110N60
