时间：2025/7/7 10:40:26
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BUK765R2-40B是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。它广泛应用于开关模式电源、电机驱动、负载开关等领域。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2.2mΩ
栅极电荷（典型值）：37nC
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作结温范围：-55°C至175°C
BUK765R2-40B具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导. 高开关速度，适合高频应用。
3. 较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动损耗。
4. 良好的热性能，允许在高温环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 封装紧凑，易于焊接和安装。
该器件适用于各种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. DC/DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的功率开关。
IRFZ44N, FDP55N10, PSMN2R0-30YL
