时间：2025/9/14 13:46:24
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BUK764R4-60E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热稳定性，适用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用 TO-220AB 封装，适合高电流和高功率应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压（Vds）：60V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
BUK764R4-60E,118 具有极低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其 Rds(on) 仅为 4mΩ，在 Vgs=10V 时可确保高效的功率传输。
该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，提供更高的功率密度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，具备较高的可靠性与耐用性。
TO-220AB 封装具备良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。
该器件符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于环保电子产品的设计。
BUK764R4-60E,118 主要应用于高效率电源系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制器等。
在工业自动化领域，该器件可用于高性能电机驱动器和电源管理模块，提供稳定可靠的功率控制。
该 MOSFET 还广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。
此外，它也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用领域。
由于其优异的导通特性和热管理能力，BUK764R4-60E,118 也常用于高功率 LED 驱动器和开关电源（SMPS）中。
IRF1405, STP90N6F6, FDP8870, BUK7K52-60E
