时间：2025/7/9 9:22:05
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BUK764R3-40B 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适用于多种高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他功率管理应用。
该型号设计用于在中等电压范围内提供高效能表现，同时具备出色的热稳定性和耐用性。其封装形式为LFPAK88（Power-SO8），有助于降低寄生电感并提高散热效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：3.9mΩ
栅极电荷：28nC
输入电容：1450pF
工作温度范围：-55℃至175℃
BUK764R3-40B 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
5. 封装优化设计，减小了寄生效应的影响，适合高密度布局需求。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
BUK764R3-40B 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机控制。
3. 负载开关及保护电路，如过流保护和短路保护。
4. DC-DC转换器，包括降压、升压以及反激式拓扑结构。
5. 汽车电子系统，如车载充电器、LED驱动器等需要高可靠性的场景。
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