时间：2025/7/8 19:57:54
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BUK763R1-40B 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沃特（NexFET）功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能、高频开关的应用场景。其封装形式为 LFPAK56D（Power-SO8），适合表面贴装技术（SMT）。
BUK763R1-40B 主要应用于消费电子、工业控制、通信电源等领域，能够满足多种复杂电路的需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：24A
导通电阻(Rds(on))：1.1mΩ (在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：45nC
总热阻(θja)：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK56D
BUK763R1-40B 的主要特点是低导通电阻和高效率。其 Rds(on) 仅为 1.1mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，可以显著降低传导损耗。
此外，该器件的开关性能优越，栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，并提高系统的整体效率。
它的高工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 确保了在极端环境下的可靠性。
BUK763R1-40B 还具备出色的热性能，通过优化的封装设计实现高效的散热管理，从而提升长期工作的稳定性。
该产品非常适合需要高频和高效能的电路设计，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。
BUK763R1-40B 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 电池管理系统（BMS）
6. 计算机及外围设备中的电源管理
7. 电信基础设施中的高效功率转换模块
由于其低导通电阻和高效率，BUK763R1-40B 在要求高性能和紧凑设计的应用中特别受欢迎。
BUK7Y1R0-40E, BUK7Y3R0-40E, IRF7775PBF
