时间：2025/9/14 13:59:40
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BUK7635-55A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性，适用于多种高功率应用场景。该MOSFET为N沟道增强型，采用D2PAK封装，便于散热并适合高密度设计。广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：55 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：70 A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：5.5 mΩ（最大值，Vgs=10 V）
功率耗散（Ptot）：300 W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK（表面贴装）
BUK7635-55A,118 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力。其导通电阻仅为5.5毫欧，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。这种低Rds(on)特性使其在高负载应用中表现出色，例如电源转换器和大功率电机驱动器。
此外，该器件支持高达70A的连续漏极电流，在高功率密度设计中具有出色的电流处理能力。D2PAK封装设计不仅便于表面贴装，还具有良好的热传导性能，能够有效将热量从芯片传导至PCB或散热器，从而提高系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET具有宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适用于严苛的工业环境。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的12V和10V驱动电路，方便工程师进行设计和优化。
此外，该器件具有出色的雪崩能量耐受能力，提供更高的系统安全性和耐用性。由于其高可靠性和优异的电气性能，BUK7635-55A,118 适用于要求苛刻的工业、汽车和通信应用。
BUK7635-55A,118 主要用于需要高效能功率开关的场合。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关以及各种高功率工业控制电路。此外，它也广泛应用于服务器电源、通信设备电源模块以及汽车电子系统中的功率管理单元。
IPB075N04NG
IRF2807-7PBF
STP75NF75
