时间：2025/3/25 9:58:49
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BUK762R9-40E 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的封装技术制造。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用场合，具有卓越的开关性能和热稳定性。其主要用途包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理等应用。该器件的最大额定电压为40V，广泛用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。
该芯片通过优化设计实现了低导通电阻和极快的开关速度，同时具备出色的雪崩能力和抗干扰性能，确保在高功率密度和恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压：40V
最大连续漏电流：135A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：1.1mΩ
栅极电荷（典型值）：140nC
总电容（输入电容）：3580pF
开关速度：非常快
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高峰值电流能力，能够承受瞬间大电流冲击。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用。
4. 良好的热稳定性和较低的热阻，提升散热性能。
5. 高可靠性设计，适用于苛刻的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. 小型化封装，节省PCB空间，便于系统集成。
8. 具备较强的抗ESD能力，确保长期稳定运行。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 汽车电子中的负载切换
5. 工业自动化设备
6. 电池管理系统（BMS）
7. 电信基础设施中的电源模块
8. 各类高效能功率转换电路
IRF7737PbF, FDP5500, BUK7Y3R7-40E
