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BUK762R9-40E 发布时间 时间:2025/3/25 9:58:49 查看 阅读:12

BUK762R9-40E 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的封装技术制造。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用场合,具有卓越的开关性能和热稳定性。其主要用途包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理等应用。该器件的最大额定电压为40V,广泛用于消费类电子、工业控制和通信设备等领域。
  该芯片通过优化设计实现了低导通电阻和极快的开关速度,同时具备出色的雪崩能力和抗干扰性能,确保在高功率密度和恶劣环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏电流:135A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):1.1mΩ
  栅极电荷(典型值):140nC
  总电容(输入电容):3580pF
  开关速度:非常快
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高峰值电流能力,能够承受瞬间大电流冲击。
  3. 快速开关特性,适合高频开关应用。
  4. 良好的热稳定性和较低的热阻,提升散热性能。
  5. 高可靠性设计,适用于苛刻的工作条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  7. 小型化封装,节省PCB空间,便于系统集成。
  8. 具备较强的抗ESD能力,确保长期稳定运行。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 汽车电子中的负载切换
  5. 工业自动化设备
  6. 电池管理系统(BMS)
  7. 电信基础设施中的电源模块
  8. 各类高效能功率转换电路

替代型号

IRF7737PbF, FDP5500, BUK7Y3R7-40E

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