BUK762R6-40E是一款由安森美(onsemi)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。
BUK762R6-40E的设计使其能够在高频开关条件下保持高效性能,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
型号:BUK762R6-40E
类型:N沟道MOSFET
Vds(漏源极击穿电压):40V
Rds(on)(导通电阻):6.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):92A
Qg(栅极电荷):38nC
EAS(雪崩能量):2.2mJ
封装形式:TO-263(DPAK)
BUK762R6-40E具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用,减少开关损耗。
3. 高额定电流能力,支持大功率应用。
4. 良好的热性能,有助于在高温环境下保持稳定性。
5. 出色的电气特性和可靠性,能够承受一定的过载条件。
6. 小巧的封装尺寸,便于设计布局和散热管理。
BUK762R6-40E广泛应用于多种功率电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助功率系统。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
BUK7Y1R3-40E
IRFZ44N
STP90NF06L