BUK762R6-40E 时间：2025/7/1 1:22:13 阅读：6

BUK762R6-40E是一款由安森美（onsemi）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。
　　BUK762R6-40E的设计使其能够在高频开关条件下保持高效性能，同时具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

型号：BUK762R6-40E
　　类型：N沟道MOSFET
　　Vds（漏源极击穿电压）：40V
　　Rds(on)（导通电阻）：6.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　Id（连续漏极电流）：92A
　　Qg（栅极电荷）：38nC
　　EAS（雪崩能量）：2.2mJ
　　封装形式：TO-263（DPAK）

特性

BUK762R6-40E具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频开关应用，减少开关损耗。
　　3. 高额定电流能力，支持大功率应用。
　　4. 良好的热性能，有助于在高温环境下保持稳定性。
　　5. 出色的电气特性和可靠性，能够承受一定的过载条件。
　　6. 小巧的封装尺寸，便于设计布局和散热管理。

应用

BUK762R6-40E广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器的同步整流元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 工业控制设备中的功率管理模块。
　　5. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助功率系统。
　　6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。