时间：2025/9/14 15:57:21
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BUK7628-100A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用TO-220AB封装形式，具有良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(on)）：最大值为4.5mΩ（典型值为3.8mΩ）
栅极电荷（Qg）：约180nC（在10V驱动电压下）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
功耗（Ptot）：约250W
栅极驱动电压：推荐使用10V驱动
BUK7628-100A,118 采用NXP的TrenchMOS技术，使其在高电流应用中表现出色，同时保持低导通电阻，从而减少导通损耗。其耐压能力高达100V，适用于各种高电压场景。该器件的导通电阻仅为3.8mΩ（典型值），使其在高电流下仍能保持较低的功率损耗。此外，其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并降低开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET器件的封装形式为TO-220AB，具有良好的热管理和机械强度，能够在高功率条件下稳定运行。它支持高达80A的连续漏极电流，适用于需要高电流能力的电源系统。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。
此外，该器件具有出色的雪崩能量耐受能力，能够在突发高压条件下提供更高的可靠性。其栅极驱动电压推荐为10V，以确保完全导通并减少导通损耗。同时，其快速恢复体二极管可减少反向恢复损耗，提高整体系统效率。
BUK7628-100A,118 主要应用于高功率电源系统，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统和工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。在电信和服务器电源中，该器件可用于提高效率并减少发热，满足高功率密度的需求。
SiHF60N100E（Siliconix）、IRF1405（Infineon）、FDP80N10（Fairchild）、STP80NF10（STMicroelectronics）
