时间：2025/9/14 17:02:08
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BUK761R7-40E,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高效率的电源管理应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于汽车电子、工业电源和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：170A
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：250W
封装类型：TO-263
工作温度范围：-55°C 至 175°C
BUK761R7-40E,118 具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，该MOSFET采用了先进的Trench技术，能够在保持低导通电阻的同时提供高开关性能，从而减少功率损耗并提高整体效率。其次，其Rds(on)的典型值仅为1.7mΩ，这使得在大电流条件下导通损耗显著降低。此外，该器件支持高达170A的连续漏极电流，并可在高达40V的漏源电压下稳定运行，适用于各种高功率应用场景。其封装形式为TO-263，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺。器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于严苛环境条件下的稳定运行。最后，其栅源电压范围为±20V，具备较强的栅极驱动兼容性，可与多种控制电路配合使用。
BUK761R7-40E,118 广泛应用于多个高功率领域。在汽车电子中，它被用作电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器中的主开关元件。在工业自动化和电源管理系统中，该MOSFET适用于大功率负载开关、电机驱动以及高效率电源模块。此外，在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和储能系统，该器件也可用于功率转换环节，以提高能量转换效率。其优异的导通特性和高电流能力使其在高性能电源设计中具有重要地位。
SiR176DP, IRFP4110PBF, FDS4410A, BSC017N04LS
