型号：BUK7614-55
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：55 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：130 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：390 A
　　最大功耗（PD）：200 W
　　导通电阻RDS(on)（典型值）：3.3 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)（最大值）：4.0 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)（典型值）：4.2 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：85 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：4400 pF
　　反向恢复时间（trr）：38 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D2PAK

BUK7614-55采用NXP先进的TrenchMOS工艺技术，这种技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻并提升了器件的开关速度。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，特别是在10V栅极驱动条件下，RDS(on)最大仅为4.0mΩ，能够有效减少导通损耗，提高电源系统的转换效率。该器件具有优异的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，确保长时间运行的可靠性。
　　其栅极设计经过优化，具备较低的栅极电荷（Qg = 85nC），这有助于降低驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率操作，适用于高频DC-DC变换器和同步整流应用。同时，输入电容Ciss为4400pF，配合合理的驱动设计可实现快速的电压建立与关断，进一步提升动态响应能力。
　　BUK7614-55具备较强的电流承载能力，最大连续漏极电流可达130A，短时脉冲电流高达390A，适用于大电流启动或瞬态负载变化的应用场景，如电机驱动和电池管理系统。其反向恢复时间较短（trr=38ns），体二极管恢复特性良好，减少了在桥式电路中因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题。
　　该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保。D2PAK封装不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的散热能力，可通过外接散热器将热量迅速传导至PCB或外壳，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境温度下稳定工作，特别适用于汽车动力总成、车载充电系统及工业控制设备等对可靠性要求极高的领域。

BUK7614-55广泛应用于需要高效率、大电流和高可靠性的功率开关场合。典型应用包括车载电源系统，如DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）和车载逆变器，其低导通电阻和高电流能力可有效降低能量损耗并提升续航表现。在工业电源领域，该器件常用于服务器电源、电信整流模块和UPS不间断电源中的同步整流与负载开关控制。
　　由于其优异的热性能和电气特性，BUK7614-55也适用于电机驱动电路，尤其是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中作为主开关元件使用。在消费类电子产品中，可用于高功率LED驱动、笔记本电脑适配器和移动储能设备的电源管理单元。
　　此外，该MOSFET还可用于太阳能微逆变器、储能系统和智能电网设备中的功率切换模块。其坚固的结构设计和抗雪崩能力使其在感性负载切换和频繁启停的应用中表现出色，有效防止因电压尖峰导致的器件损坏。综合来看，BUK7614-55是一款多功能、高性能的功率MOSFET，适用于从汽车电子到工业电源等多个关键领域的核心功率控制环节。

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　　 "IPB015N05L3",
　　 "IRF3713PbF",
　　 "FDD8870",
　　 "STP130N5F7",
　　 "PSMN1R1-55YX"
　　]