时间：2025/9/14 9:25:39
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BUK7613-60E,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关、DC-DC转换器等场合。该器件采用先进的TrenchFET技术，提供高效率和低导通电阻，具有良好的热稳定性和可靠性。BUK7613-60E采用D2PAK（TO-263）封装，适用于表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：70A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值）@Vgs=10V
栅极电压范围：-20V~+20V
功耗（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
BUK7613-60E,118 MOSFET采用了NXP先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件在70A的连续漏极电流下仍能保持较低的导通压降，使其适用于高功率密度设计。此外，其D2PAK封装形式具备良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性。
这款MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在突变负载或开关过程中对瞬态电压的耐受性，从而提高了系统可靠性。其栅极氧化层设计确保了在高频开关应用中的稳定性和耐用性，适用于各种电源转换拓扑结构，如同步整流、DC-DC降压转换器等。
BUK7613-60E的封装设计支持表面贴装工艺，提高了制造效率和装配精度，同时具备良好的机械强度和电气连接可靠性。该器件在汽车电子、工业电源、电动工具、电池管理系统等领域具有广泛应用。
BUK7613-60E,118广泛应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动、工业自动化设备、电动工具和车载电子系统等。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，非常适合用于同步整流电路和高效率功率开关电路。此外，其高可靠性和良好的热性能也使其成为汽车电子和工业控制领域的理想选择。
IRF1405, STP75NF75, FDP7030AL, BUK7K60-60E
