时间：2025/9/14 10:24:41
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BUK7613-100E 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性的开关应用设计，适用于广泛功率电子设备。其主要特性包括低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：连续13A
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.15Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
BUK7613-100E 具备多个关键特性，使其在功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作时的高效能和低功耗。其次，100V的漏源电压（Vds）允许其在较高电压环境下稳定运行，适用于多种电源管理应用。
此外，该器件支持高达13A的连续漏极电流，能够满足对电流承载能力要求较高的场景。栅极电压范围为±20V，使其在控制电路设计中具有良好的兼容性。TO-220封装不仅提供了优良的散热性能，还具备机械强度高、易于安装等优点。
BUK7613-100E 还具备良好的热稳定性，可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适应严苛环境下的运行需求。其增强型结构设计确保在栅极电压关闭时漏极与源极之间保持高阻断状态，从而实现可靠的开关控制。
BUK7613-100E 主要应用于需要高效率功率开关的场合。例如，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统中。在这些应用中，该器件的低导通电阻和高电流承载能力可以显著提升系统效率并减少发热。
此外，BUK7613-100E 也广泛用于工业自动化设备、汽车电子系统、照明控制以及消费类电子产品中的功率管理模块。由于其优异的热稳定性和宽工作温度范围，该MOSFET特别适合在高温或高可靠性要求的环境中使用，如车载充电器、电动车控制系统和工业电源设备等。
在电机控制领域，BUK7613-100E 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，其快速开关特性有助于提高电机控制的精度和效率。在负载开关应用中，它可以作为高效、可靠的开关器件，控制大功率负载的通断。
BUK7615-100E, FDPF13N10, IRFZ44N
