时间：2025/9/14 4:06:39
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BUK7611-55B,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能和高可靠性设计，适用于需要高电流和低导通电阻的应用。该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术，确保在高频率操作下的稳定性能。该器件封装为D2PAK，适合表面贴装，提供了良好的热管理和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大110A
漏源电压（VDS）：最大55V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK
BUK7611-55B,118 的特性包括低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中具有较低的功率损耗。其先进的TrenchMOS技术提供了优异的开关性能，适用于高频操作。该MOSFET具有高雪崩能量能力，确保在严苛的工作条件下具有高可靠性。此外，该器件的栅极设计优化，提供了更好的抗过压能力，同时减少了开关损耗。D2PAK封装设计提供了良好的热管理，确保器件在高负载情况下仍能保持稳定性能。该器件符合RoHS标准，并具有较高的抗静电能力。
BUK7611-55B,118 主要用于电源管理应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于高效率的电源转换设备。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及高性能计算设备中的电源管理模块。
BUK7611-55B,118 的替代型号包括BUK7K11-55B和BUK7K11-55A。这些型号具有相似的电气特性和封装形式，适用于相同的电路设计需求。
