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BUK7609-55A 发布时间 时间:2025/7/12 18:28:53 查看 阅读:11

BUK7609-55A 是一款 N 沟道功率 MOSFET,由安森美(ON Semiconductor)生产。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各种功率转换和电机驱动应用中。
  该器件的最大额定电压为 55V,适用于中小功率的应用场景,其优化的 Rds(on) 能够显著降低传导损耗,提高系统效率。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗:34W
  结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

BUK7609-55A 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下能够可靠工作。
  3. 快速开关速度,适合高频开关应用。
  4. 紧凑的 TO-220FP 封装,便于散热设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  6. 出色的热稳定性和可靠性,适应恶劣的工作环境。
  7. 内部采用优化的芯片结构,提供更高的电流密度和更低的热阻。

应用

BUK7609-55A 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制。
  6. 消费类电子产品的电源管理模块。
  由于其低导通电阻和高效率特点,该器件特别适合需要高效能和小体积的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP18NF55

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