BUK7609-55A 时间：2025/7/12 18:28:53 阅读：13

BUK7609-55A 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由安森美（ON Semiconductor）生产。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于各种功率转换和电机驱动应用中。
　　该器件的最大额定电压为 55V，适用于中小功率的应用场景，其优化的 Rds(on) 能够显著降低传导损耗，提高系统效率。

参数

最大漏源电压：55V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
　　总功耗：34W
　　结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

BUK7609-55A 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下能够可靠工作。
　　3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
　　4. 紧凑的 TO-220FP 封装，便于散热设计。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
　　6. 出色的热稳定性和可靠性，适应恶劣的工作环境。
　　7. 内部采用优化的芯片结构，提供更高的电流密度和更低的热阻。

应用

BUK7609-55A 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制。
　　6. 消费类电子产品的电源管理模块。
　　由于其低导通电阻和高效率特点，该器件特别适合需要高效能和小体积的应用场景。