时间：2025/9/14 16:54:37
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BUK758R3-40E,127 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和电源管理应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于汽车电子、工业控制、DC-DC转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：180A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：3.4mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：5.2mΩ
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
引脚数：3
BUK758R3-40E,127具备多项优异的电气特性和封装设计，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在10V栅极电压下仅为3.4mΩ，极大地降低了导通损耗，提高了整体能效。
其次，该MOSFET具有较高的连续漏极电流能力（180A），使其适用于大电流负载切换和电源管理应用。此外，其最大功率耗散为200W，支持在高功率密度设计中稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从4.5V到10V的栅极电压，方便与多种驱动器兼容，提高了设计灵活性。同时，其耐高温能力高达175°C，适合在严苛环境中运行。
采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，便于安装和散热管理，适用于工业自动化、汽车电子系统等对可靠性要求较高的场景。
此外，该MOSFET具备低开关损耗特性，支持高频开关应用，例如在DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关中都能表现出色。
BUK758R3-40E,127广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。典型应用包括汽车电子系统中的电机驱动、电池管理系统、车载充电器和DC-DC转换器。
在工业领域，该器件常用于伺服电机控制、工业电源、UPS（不间断电源）、焊接设备和高功率LED照明驱动电路。
此外，该MOSFET也非常适合用于各种开关电源拓扑结构，如Buck、Boost和同步整流拓扑中，提供高效、稳定的功率转换解决方案。
在新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块中，BUK758R3-40E,127也具备良好的应用表现。
由于其高可靠性和耐热性能，该器件也常用于高要求的航空航天、通信电源和医疗设备等专业领域。
STP150N4F6AG, IRLB8721PBF, FDP180N04A, BSC050N04LS G, SiS178DN
