BUK753R1-40E 时间：2025/5/7 15:29:14 阅读：15

BUK753R1-40E 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由安森美（onsemi）公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。
　　该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88（D2PAK），能够提供出色的散热性能和较高的电流承载能力。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：36A
　　导通电阻：1.1mΩ
　　栅极电荷：69nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装：LFPAK88

特性

BUK753R1-40E 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动下仅为 1.1mΩ，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力，可支持高达 36A 的连续漏极电流。
　　3. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷和输出电荷，适合高频应用。
　　4. 优异的热性能，得益于 LFPAK88 封装设计，能够有效降低热阻。
　　5. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 150℃)，使其适用于恶劣环境下的应用。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。

应用

BUK753R1-40E 广泛应用于需要高效能和高电流处理能力的场景，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
　　2. 降压或升压 DC-DC 转换器。
　　3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　其低导通电阻和高电流承载能力使其成为这些应用的理想选择。