时间：2025/9/14 6:55:04
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BUK752R3-40E,127 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于需要高可靠性和紧凑布局的工业和汽车电子系统。该器件的最大漏极电流为 150A，漏源电压最大为 40V，适用于各种中低压功率控制场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：LFPAK56
极数：3 引脚
BUK752R3-40E,127 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使得它在高电流条件下具有极低的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供出色的开关性能和热稳定性。其 LFPAK56 封装不仅具备优异的热传导性能，还提供了较高的机械强度和焊接可靠性，适用于表面贴装技术（SMT）生产工艺。
此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，可在短时间内承受较大的过载电流而不损坏。其栅极设计具有较高的抗静电能力，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。器件的封装材料符合 RoHS 标准，具有环保特性。在汽车电子应用中，该器件能够满足 AEC-Q101 标准的严格要求，确保在极端环境下的稳定运行。
BUK752R3-40E,127 主要用于各类高功率密度和高效率要求的电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及汽车电子系统中的功率开关。在汽车应用中，该器件常用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、启停系统以及车身控制模块等场景。
由于其高可靠性和小尺寸封装，BUK752R3-40E,127 也广泛应用于工业自动化设备、电源供应器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电动工具等需要高效率功率控制的场合。该器件的优异性能使其成为传统通孔封装 MOSFET 的理想替代品，尤其适合空间受限的设计。
IRF150PBF, BSC050N04LS G, BUK7K1R7-40E,127
