您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BUK7520-55A

BUK7520-55A 发布时间 时间:2025/12/23 11:58:20 查看 阅读:32

BUK7520-55A是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
  BUK7520-55A的工作电压高达55V,能够承受较大的电流,并且具有较低的导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。此外,它还具备快速开关速度和优秀的热稳定性,适合多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:46A
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极-源极电压:±20V
  总功耗:165W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,确保在高电流应用中降低功率损耗。
  2. 高击穿电压设计,适用于各种高压环境。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗并提升系统效率。
  4. 强大的散热能力,支持长时间稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品需求。
  6. 提供出色的电气特性和可靠性,适应恶劣的工作条件。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机控制与驱动
  5. 汽车电子系统
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块
  7. 各类负载开关及保护电路

替代型号

IRLB8748PBF, FDP5500, Si7876DP

BUK7520-55A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BUK7520-55A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

BUK7520-55A参数

  • 制造商NXP
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流54 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.02 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Rail
  • 下降时间40 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散118 W
  • 上升时间74 ns
  • 工厂包装数量50
  • 典型关闭延迟时间70 ns
  • 零件号别名BUK7520-55A,127