BUK7514 时间：2025/12/27 18:14:37 阅读：11

BUK7514-60H是NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件专为高效率、高功率密度的应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。BUK7514-60H具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其额定电压为60V，适合在中压功率应用中使用，并且具备良好的抗雪崩能力和抗过载能力，提升了系统整体的鲁棒性。
　　该MOSFET封装在LFPAK（类似PowerSO8）小型表面贴装封装中，具有出色的散热性能和机械强度，便于自动化生产和回流焊工艺。相比传统TO-220或DPAK封装，LFPAK封装减小了PCB占用面积，同时通过底部散热焊盘有效降低热阻，提高功率处理能力。BUK7514-60H符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101汽车级认证，适用于工业控制、电信电源及车载电子等多种严苛环境下的应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：130A
　　脉冲漏极电流(IDM)：400A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：3.2mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：4.5mΩ
　　阈值电压(VGS(th))：典型2.0V，范围1.5~2.5V
　　输入电容(Ciss)：典型值约5000pF
　　输出电容(Coss)：典型值约1200pF
　　反向恢复时间(trr)：典型值30ns
　　最大工作结温(Tj)：175°C
　　封装形式：LFPAK（PowerSO8）

特性

BUK7514-60H的核心优势在于其极低的导通电阻与高电流承载能力之间的完美平衡，这使其成为高效能开关电源设计中的理想选择。该器件采用NXP先进的TrenchMOS沟槽型场效应晶体管技术，显著降低了单位面积下的导通损耗，从而提升整体能效并减少发热。在VGS=10V时，RDS(on)仅为3.2mΩ，在同类60V MOSFET中处于领先水平，这意味着即使在大电流条件下也能保持较低的功率损耗，特别适合用于同步整流、多相降压变换器和电池管理系统等对效率要求极高的电路中。
　　此外，BUK7514-60H具备出色的热稳定性与长期可靠性。其LFPAK封装结构优化了从芯片结到PCB之间的热传导路径，热阻Rth(j-c)低至0.75°C/W，能够快速将内部热量传递至外部散热层，避免局部过热导致性能下降或器件损坏。这种高效的散热机制允许器件在紧凑空间内持续工作于较高负载状态，提高了系统的功率密度。
　　该MOSFET还具备良好的动态性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作的效率。其反向恢复特性优异，体二极管的反向恢复电荷（Qrr）较小，可降低因换流引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统稳定性。
　　值得一提的是，BUK7514-60H通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均满足汽车行业严苛的可靠性要求，因此不仅可用于工业领域，也适用于车载DC-DC转换器、电动助力转向系统（EPS）、车载充电机（OBC）等应用场景。综合来看，这款器件凭借其低RDS(on)、优良热性能、高可靠性和汽车级资质，成为现代高功率密度电源系统中的关键元件之一。

应用

BUK7514-60H广泛应用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子系统中。典型应用包括服务器和通信设备中的多相同步降压转换器，作为上管或下管用于调节CPU或ASIC供电电压；在工业电源系统中，用于构建高频率DC-DC模块，实现高效的电压变换与稳压功能；在电机驱动器中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。
　　由于其具备AEC-Q101认证，该器件也被广泛用于汽车电子系统，例如车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压模块、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）中的预充电或主接触器替代方案等。其低导通电阻可减少电池能量损耗，延长续航里程，尤其适用于新能源汽车中的辅助电源系统。
　　此外，BUK7514-60H还可用于大电流负载开关、热插拔控制器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器以及高端消费类电子产品中的电源管理单元。其小型化LFPAK封装非常适合空间受限但需高功率输出的设计，如便携式医疗设备、高端路由器和AI加速卡等。