时间：2025/9/14 4:40:56
阅读：13
BUK7506-55A,127 是由NXP Semiconductors生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用而设计，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性。其广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及工业控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-220AB
BUK7506-55A,127 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，从而提高系统效率。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，支持高达110A的连续漏极电流，非常适合高功率密度设计。
该器件采用了先进的沟槽式技术，优化了开关性能和导通性能，从而减少了开关损耗。同时，其高耐压能力（60V）确保了在多种电源拓扑中的稳定运行，如同步整流、Buck和Boost转换器。
在热性能方面，BUK7506-55A,127 具有优异的热阻特性，使其在高功率应用中仍能保持较低的工作温度。这不仅提升了器件的可靠性，也延长了系统的使用寿命。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在严苛的电气环境中提供稳定的性能。其封装形式为TO-220AB，便于散热设计和PCB安装。
BUK7506-55A,127 主要应用于各类高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备、电源供应器以及汽车电子系统等。
在电源管理领域，该器件可作为主开关用于高效率的Buck或Boost变换器中，提供稳定可靠的功率转换性能。在电动汽车和储能系统中，BUK7506-55A,127 也常用于电池充放电控制电路，确保高电流条件下的稳定运行。
此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路和负载开关应用，其高电流能力和低导通电阻特性使其在大功率负载控制中表现出色。
IRF1405, STD110N6F7, IPW90R120C3
