时间：2025/7/8 21:13:10
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BUK725R0-40C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他需要高性能功率管理的应用场景。
BUK725R0-40C 的封装形式为 LFPAK88（Power-SO8），这种封装方式有助于提高散热性能并减少寄生电感，非常适合高密度设计的电路板。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：77nC
反向恢复时间：无
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
BUK725R0-40C 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，适合高频应用场合。
3. 高度可靠的 LFPAK88 封装，具备出色的热特性和电气性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
5. 在整个温度范围内保持稳定的电气性能，适应多种恶劣环境下的使用需求。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
BUK725R0-40C 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业及消费类电机驱动控制。
3. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护电路。
4. 电信设备和服务器电源模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各种负载切换和保护电路设计。
BUK7Y1R4-40E, BUK7Y3R9-40E
