BUK7225-55A是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点。它通常用于各种电源管理应用,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。此器件采用TO-263封装形式,便于散热和安装。
BUK7225-55A的低导通电阻特性使其在功率转换应用中能够有效减少传导损耗,提高系统效率。同时,其较高的雪崩击穿能力也保证了在异常条件下的可靠性。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:19A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:20nC
输入电容:1100pF
功耗:42W
工作温度范围:-55°C to 175°C
1. 高效功率传输:得益于极低的导通电阻,BUK7225-55A在大电流应用中表现出较低的功率损耗。
2. 热稳定性强:采用TO-263封装设计,可实现更优的热管理。
3. 快速开关能力:由于其较小的栅极电荷值,能够支持高频开关应用。
4. 广泛的工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适用于工业和汽车级应用。
5. 优异的鲁棒性:具备较强的雪崩能力和抗静电能力,确保在过载情况下的安全性。
BUK7225-55A广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和DC-DC转换。
2. 负载开关和保护电路中的功率控制。
3. 汽车电子系统中的电机驱动和电池管理。
4. 工业设备中的逆变器和变频器。
5. 其他需要高效功率管理的应用场景。
IRFZ44N
FDP5560
STP19NM55