时间：2025/9/14 13:09:56
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BUK7219-55A,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源管理系统和功率开关应用中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于需要高效能和紧凑设计的系统。该器件采用标准的TO-220封装，具备良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流 (Id)：55A
最大漏源电压 (Vds)：55V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 Rds(on)：最大 9.5mΩ @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散：160W
导通延迟时间：约 28ns
上升时间：约 60ns
下降时间：约 45ns
BUK7219-55A,118 具有出色的导通性能和快速的开关响应能力，适用于高频率开关操作。其低导通电阻（Rds(on)）能够显著减少导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高电流和高温度环境下稳定工作。TO-220封装设计提供了良好的散热能力，适合在紧凑型电源设计中使用。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在极端条件下的可靠性。
在栅极驱动方面，BUK7219-55A,118 的栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更为简单，同时减少了开关损耗。该器件还具有较高的短路耐受能力，可以在瞬态过载情况下提供一定程度的保护。此外，其栅极-源极电压范围较宽（±20V），为设计者提供了更大的灵活性，确保在不同控制电路中都能稳定运行。
BUK7219-55A,118 主要用于各种功率电子系统中，例如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、负载开关以及高功率LED驱动器等。由于其低导通电阻和优异的热性能，它特别适用于需要高效率和高功率密度的工业和汽车电子应用。在电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中，该MOSFET可用于电池保护和能量转换系统。此外，在工业自动化设备中，如PLC控制模块和伺服驱动器中，它也常用于电源开关和负载控制。
IRF1405, STP55NF06, FDP55N06, IPW55R009C6
