时间：2025/7/10 4:56:50
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BUK6Y32-60P 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由安森美（ON Semiconductor）生产。该器件采用 DPAK 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
BUK6Y32-60P 的设计使其能够在高频应用中提供出色的性能表现，同时其耐用性和稳定性也使得它成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：27nC（典型值）
总功耗：18W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK (TO-252)
BUK6Y32-60P 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，能够支持高达 32A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷和较低的输入电容。
4. 较宽的工作温度范围，适用于各种严苛环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 提供优异的热性能，有助于在高功率密度设计中保持稳定运行。
BUK6Y32-60P 可用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机控制。
3. 各种负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器及照明解决方案。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
IRFZ44N, FDP5500, BUK7Y32-60E
