时间：2025/9/14 17:41:34
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BUK6Y24-40PX 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能N沟道增强型MOSFET，广泛用于需要高效率、高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的电流承载能力。BUK6Y24-40PX 适用于多种电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流 (ID)：24A
最大漏源电压 (VDS)：40V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：最大值为22mΩ @ VGS=10V
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
引脚数量：3个
极性：N沟道
BUK6Y24-40PX 采用先进的TrenchMOS技术，提供非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻为22mΩ，在高电流应用中可以显著降低功耗，减少发热。该器件的漏极电流额定值为24A，能够支持较高功率的负载需求，适用于要求高电流能力的电源系统。
此外，BUK6Y24-40PX 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，最高工作温度可达+175°C。其TO-252（DPAK）封装形式不仅具有良好的散热性能，还能支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高PCB布局的紧凑性。
该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较强的抗电压波动能力，适用于各种驱动电路。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。此外，BUK6Y24-40PX 还具备良好的抗雪崩击穿能力，增强其在高压瞬态环境中的稳定性。
BUK6Y24-40PX 广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，提供高效的电压转换。在负载开关应用中，BUK6Y24-40PX 可用于控制电源供应，实现快速开关和低损耗操作。此外，该MOSFET还可用于电机控制、电池管理系统（如电动工具、电动自行车）以及工业自动化设备中的功率控制单元。
由于其高可靠性和良好的热性能，BUK6Y24-40PX 也适用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器、起停系统和车载DC-DC转换器。在服务器和通信设备的电源模块中，该器件同样能够提供稳定的功率控制和高效的能量转换。
BUK6Y25-40P,MOSFET,N-CH,40V,25A,TO-252；BUK6Y24-40P；IPD60R1K5PFD7S；STP40NF10L
